接觸式光刻機是一種用于信息科學與系統(tǒng)科學、能源科學技術(shù)、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗儀器，于2016年7月12日啟用。
其實在我國對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。
我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達到了小于0.1 gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5 gm左右。該設(shè)備的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個由手動控制的臺子上，臺子可以進行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。
在操作過程中掩模版和襯底晶片需要通過分立視場的顯微鏡同時觀察，這樣操作者用手動控制定位臺子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對準了。經(jīng)過紫外光曝光，光線通過掩模版透明的部分，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。設(shè)備的主要缺點是依賴于人操作，由于涂覆光刻膠的圓片與掩模的接觸會產(chǎn)生缺陷，每一次接觸過程，會在圓片和掩模上都造成一定的缺陷。因此，該設(shè)備一般用于能容忍較高缺陷水平的器件研究和其他應用方面。
所以該設(shè)備還是先階段使用比較好的一種刻錄機，這種刻錄機的技術(shù)比較先進，操作也簡單。
設(shè)備的主要用途及特點：
1、本設(shè)備適用于對&Phi；100mm以下，厚為0——5mm各種基片的曝光。
2、由于采用了高均勻性的多點光源曝光頭，非常理想的三點找平機構(gòu)，穩(wěn)定可靠的真空壓緊曝光，使本機的曝光分辨率和曝光均勻性都大為提高。
3、版不動﹑片動的對準方式，保障了導軌自重和受力方向的一致性，加之承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌和三點式找平機構(gòu)的成功應用，使本機漂移特小，對準精度高，對準速度快。
4、本設(shè)備的電氣控制采用PLC控制，各主要元件（如電磁閥等）均采用進口件，設(shè)備運行的高穩(wěn)定﹑可靠是本機的又一大優(yōu)點。
