晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)能接受4個(gè)以上的鍵合腔體，可配置整個(gè)的晶圓鍵合過程，包括陽極鍵合、熱壓鍵合、低溫等離子體鍵合以及尺寸達(dá)300毫米的晶圓鍵合。
自動(dòng)晶圓黏著鍵合技術(shù)確保堆疊式設(shè)備實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)。
晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)是一種重要的加工技術(shù)，它使用一個(gè)中間層（典型的聚合體）來粘接兩個(gè)基層，被廣泛地運(yùn)用在先進(jìn)封裝中。該方法的主要優(yōu)勢在于實(shí)現(xiàn)低溫加工、使材料表面平整化和提高晶圓形貌的耐久性。在CMOS圖像傳感器的應(yīng)用方面，晶圓黏著鍵合技術(shù)會在圖像傳感器材料表面和晶圓的玻璃蓋片之間設(shè)置一層保護(hù)屏障。在3D-IC硅通孔（TSV）技術(shù)的應(yīng)用上，晶圓鍵合技術(shù)在臨時(shí)性貼合和剝離上發(fā)揮著重要作用，晶圓通過膠粘劑被臨時(shí)安裝在相關(guān)載體上，以實(shí)現(xiàn)真正的薄型化和后臺封裝。
無論是在CMOS圖像傳感器還是堆疊式邏輯存儲器的應(yīng)用方面，晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)責(zé)任重大，它是制造商轉(zhuǎn)而制造較大的晶圓基層（300毫米）以降低整體生產(chǎn)成本的必然選擇。例如，鍵合后能否將粘膠層的總厚度變化（TTV）降到最小是影響最終產(chǎn)品厚度公差的關(guān)鍵。這也將最終影響薄化晶圓和設(shè)備在提高接合密度和降低硅通孔（TSV）整合成本的能力。晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)通過可重復(fù)晶圓間加工技術(shù)對TTV及其它參數(shù)實(shí)現(xiàn)較強(qiáng)控制，并協(xié)調(diào)內(nèi)聯(lián)度量以在鍵合過程中監(jiān)控TTV。由此可見，制造商將不斷尋求與EVG的合作，以此來滿足其對系統(tǒng)的大量需求。
